376. Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определяют:
• дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода
377. Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением является характерной особенностью
• туннельного диода
378. Намагниченность:
• магнитный момент единицы объёма вещества
379. Напряжение между точками А-В схемы при приложенном напряжении u = 141 sin t A и сопротивлении R = XL = Xc = 10 Ом равно
• UАВ = 100 В
380. Напряжение на зажимах катушки, имеющей сопротивление R = 8 Ом и индуктивность L = = 0,06 Гн, при токе в ней в данный момент времени 15 А, равномерно возрастающем со скоростью 1100 А/с, будет равно:
• 186 В
381. Начальная петля гистерезиса:
• кривая, получающаяся при монотонном увеличении напряжённости магнитного поля для предварительно размагниченного материала
382. Начальная фаза и период колебаний переменной величины f (t) = 30 sin (157t + 30˚) равны:
• 30˚, 0,040 с
383. Начальная фаза:
• определяет значение функции в момент времени, равный нулю
384. Начальные условия:
• значения токов и напряжений в электрической цепи при t=0
385. Недостатком дифференциального усилителя является:
• низкое входное сопротивление
386. Недостатком режима А усилителя являются:
• низкий КПД
387. Независимые начальные условия:
• значения токов и напряжений, определяемые по законам коммутации
388. Нелинейные элементы:
• ВАХ которых не являются прямыми линиями
389. Ненулевые начальные условия:
• к началу переходного процесса хотя бы часть токов и напряжений не равны нулю
390. Несимметричные нелинейные элементы:
• ВАХ не одинаковы при различных направлениях тока и напряжениях на зажимах
t A и сопротивлении R = XL = Xc = 10 Ом равно 
