106. Время спада диода зависит от, из перечисленного:
• барьерной емкости диода • времени жизни носителей
107. Время, в течение которого потокосцепление катушки уменьшается от значения Y1 до значения Y2 Вб, при постоянной индуктированной ЭДС, равной e вольт, будет равно:
•
108. Время, за которое инжектируемые носители электричества проходят базу, называется:
• среднее время пролета
109. Вторичная обмотка трансформатора:
• обмотка трансформатора, к которой присоединяется приёмник энергии
110. Вторичный источник питания:
• устройство, предназначенное для получения напряжения, необходимого для непосредственного питания электронных устройств
111. Второй закон Кирхгофа для магнитных цепей:
•
112. Второй закон Кирхгофа:
• алгебраическая сумма падений напряжения в любом замкнутом контуре равна алгебраической сумме ЭДС, входящих в этот контур
113. Второй закон коммутации:
•
114. Входное сопротивление идеального ОУ
• неограниченно велико
115. Входные характеристики биполярного транзистора для схемы с общей базой характеризуют:
• дифференциальным сопротивлением
116. Выпрямитель:
• устройство, которое преобразует переменное напряжение в напряжение одной полярности
117. Выражение мгновенного значения тока в неразветвленной части цепи при приложенном напряжении u = 141 sin t B, и сопротивлениях R = XL = Xc = 10 Ом записывается так
• i1 = 14,1 sin t А
118. Высокому уровню сигналов ставится в соответствие состояние 0 при логике
• негативной
119. Высокому уровню сигналов ставится в соответствие состояние 1 при логике
• позитивной
t B, и сопротивлениях R = XL = Xc = 10 Ом записывается так 
